1. XY芯片测试大纲

1.1. 核心思想

注：本文档为Z芯片测试文档，
用于证明Z芯片无功能性能问题，
非Z芯片调试文档。

2. 测试介绍

2.1. 被测件介绍

被测件如下图所示，被测核心是Z芯片，
该芯片通过BGA/COB封装，信号通过测试板引出。

包含底板和测试板的照片

该测试件对外的接口包括

千兆网口作为测试保障接口，所有测试项均连接到千兆交换机
底板电源作为测试保障接口，所有测试均输入12V@3A供电

2.2. 配测仪器

序号 仪器类型类型 具体型号
1 线性电源 xx
2 示波器 R xx
3 相噪仪 Annapico xx
4 信号源 sinolink xx
5 万用表 Keysight 36670A
6 信号分析仪 Keysight N9030B

2.3. 测试方法

直接引用统一的测试方法

3. 测试用例

按照测试的对象、目的和阶段将XY芯片测试划分为
数字功能、数字性能、模拟功能、模拟性能、系统性能、可靠性等六部分，以达成以下测试目标：

芯片测试思维导图
图 3-1 芯片总体测试项

3.1. 数字功能测试

按照功能将Z芯片数字功能测试项划分为
复位与配置、MCU、AWG、乘法器、拖尾矫正、同步、异常上报等7部分。

芯片数字功能测试思维导图
图 3-2 芯片数字功能测试项

数字功能测试不依赖外部仪器，其通过比较测试结果与参考结果的一致性来判定是否通过。
本文档约定测试用例、测试数据、测试参考使用相同的命名，仅前缀和后缀可以不同。

【注】测试项描述见第4章——测试报表。

3.1.1. 复位与配置

Z芯片复位分为外部硬件复位和通道软件复位

复位功能测试项
图 3-3 复位功能测试项

3.1.1.1. 时钟寄存器配置功能

TC_CFG_CLK
测试目的 测试芯片时钟寄存器是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_cfg_clk_default.txt
4. 配置2：tc_cfg_clk_write.txt
测试描述 1. 复位后通过配置1回读默认寄存器值以确认默认值正确
2. 通过配置2写寄存器然后回读写入值以确认写入功能正确
合格判据 1. 回读值td_cfg_clk_default.txt与参考值tr_cfg_clk_default.txt相同
2. 回读值td_cfg_clk_write.txt与参考值tr_cfg_clk_write.txt值相同

3.1.1.2. 硬件复位功能

本项测试前提是时钟配置功能正常，并完成芯片主时钟配置。

TC_HW_RST
测试目的 测试芯硬件复位功能是否正常
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_hw_rst.txt
4. 配置2：tc_hw_rst_write.txt
测试描述 1. 复位并通过配置1回读寄存器默认值以确认默认值正确
2. 通过配置2向寄存器写入数据后回读以确认写入正确
3. 再次复位并通过配置1回读寄存器值以确认复位正确
合格判据 1. 回读结果td_hw_rst.txt和参考tr_hw_rst.txt相同
2. 回读结果td_hw_rst_write.txt与参考tr_hw_rst_write.txt相同
3. 回读结果td_hw_rst.txt和参考tr_hw_rst.txt相同

【注】当对芯片实施外部硬件复位时，芯片内的所有寄存器（包括时钟、系统、控制寄存器）
都将被复位，恢复为默认值。

3.1.1.3. 系统软件复位功能

本项测试前提是时钟配置功能正常，并完成芯片主时钟配置。

TC_SYS_SF_RST
测试目的 测试芯系统软件复位功能是否正常
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_sys_sf_rst.txt
4. 配置2：tc_sys_sf_rst_write.txt
测试描述 1. 复位并通过配置1回读寄存器默认值以确认默认值正确
2. 通过配置2向寄存器写入数据后回读以确认写入正确
3. 再次复位并通过配置1回读寄存器值以确认复位正确
合格判据 1. 回读结果td_sys_sf_rst.txt和参考tr_sys_sf_rst.txt相同
2. 回读结果td_sys_sf_rst_write.txt与参考tr_sys_sf_rst_write.txt相同
3. 回读结果td_sys_sf_rst.txt和参考tr_sys_sf_rst.txt相同

【注】当对芯片实施系统软件件复位时，芯片内的系统、控制寄存器寄存器
将被复位，恢复为默认值，时钟寄存器不会被复位。

3.1.1.4. 通道软件复位功能

本项测试前提是时钟配置功能正常，并完成芯片主时钟配置。

TC_CH?_SF_RST
测试目的 测试芯通道软件复位功能是否正常
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_ch?_sf_rst.txt
4. 配置2：tc_ch?_sf_rst_write.txt
测试描述 1. 复位并通过配置1回读寄存器默认值以确认默认值正确
2. 通过配置2向寄存器写入数据后回读以确认写入正确
3. 再次复位并通过配置1回读寄存器值以确认复位正确
合格判据 1. 回读结果td_ch?_sf_rst.txt和参考tr_ch?_sf_rst.txt相同
2. 回读结果td_ch?_sf_rst_write.txt与参考tr_ch?_sf_rst_write.txt相同
3. 回读结果td_ch?_sf_rst.txt和参考tr_ch?_sf_rst.txt相同

【注1】当对芯片实施系统软件件复位时，芯片内的相应通道控制寄存器寄存器
将被复位，恢复为默认值，系统、时钟寄存器不会被复位。
【注2】TC_CH?_SF_RST 中的 ? 为通配符，指代 0、1、2、3，
针对2025年9月份MPW芯片只有通道0。

3.1.1.5. 寄存器配置功能

本项测试前提是时钟配置功能正常，并完成芯片主时钟配置。

TC_CFG_REG
测试目的 测试芯片寄存器配置功能是否正常
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_cfg_reg.txt
4. 配置2：tc_cfg_reg_write.txt
测试描述 1. 复位并通过配置1回读寄存器默认值以确认默认值正确
2. 通过配置2向寄存器写入数据后回读以确认写入正确
合格判据 1. 回读结果td_cfg_reg.txt和参考tr_cfg_reg.txt相同
2. 回读结果td_cfg_reg_write.txt与参考tr_cfg_reg_write.txt相同

【注】芯片内的所有寄存器（包括时钟、系统、控制寄存器）。

3.1.1.6. 存储配置功能

TC_CFG_RAM_?
测试目的 测试芯片SRAM配置项是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_cfg_ram_?.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片存储器写入数据并回读以确认读写正常
合格判据 1. 回读数据td_cfg_ram_?.txt与参考值tr_cfg_ram_?.txt相同

【注1】芯片内的所有存储器（包括系统级的调试存储器和
通道内的MCU指令、MCU数据、包络、包络索引存储器）。
【注2】TC_CFG_RAM_? 中的 ? 为通配符，
指代 dbg、iccm、dccm、enve、enve_id。

3.1.2. 同步

同步测试项
图 3-4 同步测试项

3.1.2.1. 同步启动

TC_SYNC_START
测试目的 测试芯片同步启动功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_sync_start.txt
4. 配置2：tc_sync_start_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_sync_start_read.txt与参考值tr_sync_start_read.txt相同

3.1.2.2. 同步输出

TC_SYNC_OUTPUT
测试目的 测试芯片同步启动功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_sync_output.txt
4. 配置2：tc_sync_output_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_sync_output_read.txt与参考值tr_sync_output_read.txt相同

【注】同步触发信号可通过sync_out接口送至FPGA，并通过FPGA捕获同步触发信号，
捕获结果可以通过tr_sync_output_read.txt读出。

3.1.2.1. 同步调节

TC_SYNC_ADJ
测试目的 测试芯片同步启动功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_sync_adj.txt
4. 配置2：tc_sync_adj_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_sync_adj_read.txt与参考值tr_sync_adj_read.txt相同

【注】同步触发信号可通过sync_out接口送至FPGA，并通过FPGA捕获同步触发信号，
调节结果可以通过tr_sync_adj_read.txt读出。

3.1.2.1. 同步采样

TC_SYNC_SAMPLE_?
测试目的 测试芯片同步启动功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_sync_sample_?.txt
4. 配置2：tc_sync_sample_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_sync_sample_?_read.txt与参考值tr_sync_sample_?.txt相同

【注1】采样结果结果可以通过tr_sync_sample_?_read.txt读出。
【注2】TC_SYNC_SAMPLE_? 中的 ? 为通配符，指代模拟延时链调节步进0~15。

3.1.3. MCU测试项

按照“测试目标的功能层次和重要性”以及“从局部到整体的验证逻辑” ，
将XY芯片MCU测试项划分为基本指令、通用寄存器、数据存储区、
异常测试和综合测试等5部分。

MCU测试项
图 3-5 MCU测试项

3.1.3.1. MCU基本指令

TC_MCU_ISR_?
测试目的 测试芯片MCU基本指令是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mcu_isr_?.txt
4. 配置2：tc_mcu_isr_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mcu_isr_?_read.txt与参考值tr_mcu_isr_?_read.txt相同

【注】TC_MCU_ISR_? 中的 ? 为通配符，
指代 测控芯片MCU中覆盖的所有基本指令。

3.1.3.2. MCU通用寄存器

TC_MCU_GR_?
测试目的 测试芯片MCU通用寄存器是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mcu_gr_?.txt
4. 配置2：tc_mcu_gr_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mcu_gr_?_read.txt与参考值tr_mcu_gr_?_read.txt相同

【注】**TC_MCU_GR_?**中的 ? 为通配符，指代 0~31。

3.1.3.3. MCU数据存储区

TC_MCU_DATA_?
测试目的 测试芯片MCU数据存区是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mcu_data_?.txt
4. 配置2：tc_mcu_data_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mcu_data_?_read.txt与参考值tr_mcu_data_?_read.txt相同

【注1】MCU数据存储区（包括MCU数据存储器、MCU外设寄存器以及随机数存储器）。
【注2】**TC_MCU_DATA_?**中的 ? 为通配符，指代 DCCM、mcu_reg、prng。

3.1.3.4. MCU异常测试

TC_MCU_EXC_?
测试目的 测试芯片MCU应对异常是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mcu_exc_?.txt
4. 配置2：tc_mcu_exc_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mcu_exc_?_read.txt与参考值tr_mcu_exc_?_read.txt相同

【注1】MCU异常包括全0、全1、移位、非法操作、非对齐访问等。
【注2】TC_MCU_EXC_? 中的 ? 为通配符，指代 全0、全1、移位、非法操作、非对齐访问。

3.1.3.5. MCU综合测试

TC_MCU_COMP_?
测试目的 测试芯片MCU执行综合性代码是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mcu_comp_?.txt
4. 配置2：tc_mcu_comp_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mcu_comp_?_read.txt与参考值tr_mcu_comp_?_read.txt相同

【注】TC_MCU_COMP_? 中的 ? 为通配符，指代 0~10。

3.1.4. 乘法器

芯片中包含2个乘法器：16x16 乘法器和 12x20 乘法器。

3.1.4.1. 16x16乘法器

TC_MUL_16x16_?
测试目的 测试芯片16x16乘法器是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mul_16x16_?.txt
4. 配置2：tc_mul_16x16_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mul_16x16_?_read.txt与参考值tr_mul_16x16_?_read.txt相同

【注】TC_MUL_16x16_? 中的 ? 为通配符，指代 0~10。

3.1.4.2. 12x20乘法器

TC_MUL_12x20_?
测试目的 测试芯片16x16乘法器是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_mul_12x20_?.txt
4. 配置2：tc_mul_12x20_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_mul_12x20_?_read.txt与参考值tr_mul_12x20_?_read.txt相同

【注】TC_MUL_12x20_? 中的 ? 为通配符，指代 0~10。

3.1.5. 拖尾矫正

TC_TCORR_?
测试目的 测试芯片拖尾矫正功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_tcorr_?.txt
4. 配置2：tc_tcorr_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_tcorr_?_read.txt与参考值tr_tcorr_?_read.txt相同

【注】TC_RNG_? 中的 ? 为通配符，指代 0~10。

3.1.6. AWG

按照功能模块将AWG测试项划分为NCO载波输出和AWG波形输出两部分内容。

AWG测试项
图 3-6 AWG测试项

3.1.6.1. 基频NCO载波扫频

TC_FFNCO_FREQ_SCAN_?
测试目的 测试芯片基频NCO扫频功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_ffnco_freq_scan_?.txt
4. 配置2：tc_ffnco_freq_scan_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_ffnco_freq_scan_?_read.txt与参考值tr_ffnco_freq_scan_?_read.txt相同

【注】TC_FFNCO_FREQ_SCAN_? 中的 ? 为通配符，指代 1MHz~1.5GHz。

3.1.6.2. 基频NCO载波扫相

TC_FFNCO_PHA_SCAN_?
测试目的 测试芯片基频NCO扫相功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_ffnco_pha_scan_?.txt
4. 配置2：tc_ffnco_pha_scan_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_ffnco_pha_scan_?_read.txt与参考值tr_ffnco_pha_scan_?_read.txt相同

【注】TC_FFNCO_FREQ_SCAN_? 中的 ? 为通配符，指代 0deg~360deg。

3.1.6.3. 基频NCO载波相位清零

TC_FFNCO_PHA_CLR
测试目的 测试芯片基频NCO相位清零功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_ffnco_pha_clr.txt
4. 配置2：tc_ffnco_pha_clr_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_ffnco_pha_clr_read.txt与参考值tr_ffnco_pha_clr_read.txt相同

3.1.6.4. 倍频NCO载波扫频

TC_FMNCO_FREQ_SCAN_?
测试目的 测试芯片倍频NCO扫频功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_fmnco_freq_scan_?.txt
4. 配置2：tc_fmnco_freq_scan_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_fmnco_freq_scan_?_read.txt与参考值tr_fmnco_freq_scan_?_read.txt相同

【注】TC_FMNCO_FREQ_SCAN_? 中的 ? 为通配符，指代 1MHz~1.5Hz。

3.1.6.5. 倍频NCO载波扫相

TC_FMNCO_PHA_SCAN_?
测试目的 测试芯片倍频NCO扫相功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_fmnco_pha_scan_?.txt
4. 配置2：tc_fmnco_pha_scan_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_fmnco_pha_scan_?_read.txt与参考值tr_fmnco_pha_scan_?_read.txt相同

【注】TC_FMNCO_FREQ_SCAN_? 中的 ? 为通配符，指代 0deg~360deg。

3.1.6.6. 倍频NCO载波相位清零

TC_FMNCO_PHA_CLR
测试目的 测试芯片倍频NCO相位清零功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_fmnco_pha_clr.txt
4. 配置2：tc_fmnco_pha_clr_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_fmnco_pha_clr_read.txt与参考值tr_fmnco_pha_clr_read.txt相同

3.1.6.4. AWG包络直出

TC_AWG_ENVE_?_?
测试目的 测试芯片AWG包络直出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_enve_?_?.txt
4. 配置2：tc_awg_enve_?_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_enve_?_?_read.txt与参考值tr_awg_enve_?_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_ENVE_?_? 中的 ? 为通配符，
第一个 ? 指代 包络类型：Cosine、Flattop、Rectangle，
第二个 ? 指代 采样点数目：10、100、1000。

3.1.6.5. 调幅输出

TC_AWG_AMP_?
测试目的 测试芯片调幅输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_amp_?.txt
4. 配置2：tc_awg_amp_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_amp_?_read.txt与参考值tr_awg_amp_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_AMP_? 中的 ? 为通配符，? 指代 幅度：-1~+1。

3.1.6.5. 单调频输出

TC_AWG_FREQ_?
测试目的 测试芯片单调频输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_freq_?.txt
4. 配置2：tc_awg_freq_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_freq_?_read.txt与参考值tr_awg_freq_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_FREQ_? 中的 ? 为通配符，? 指代 频率：0GHz~1.5GHz。

3.1.6.6. 双调频输出

TC_AWG_DFREQ_?
测试目的 测试芯片双调频输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_dfreq_?.txt
4. 配置2：tc_awg_dfreq_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_dfreq_?_read.txt与参考值tr_awg_dfreq_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_DFREQ_? 中的 ? 为通配符，? 指代 频率：0GHz~1.5GHz。

3.1.6.7. 单调相输出

TC_AWG_PHA_?
测试目的 测试芯片单调相输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_pha_?.txt
4. 配置2：tc_awg_pha_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_pha_?_read.txt与参考值tr_awg_pha_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_PHA_? 中的 ? 为通配符，? 指代 相位：0deg~360deg。

3.1.6.8. 双单调相输出

TC_AWG_DPHA_?
测试目的 测试芯片双调相输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_dpha_?.txt
4. 配置2：tc_awg_dpha_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_dpha_?_read.txt与参考值tr_awg_dpha_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_DPHA_? 中的 ? 为通配符，? 指代 相位：0deg~360deg。

3.1.6.9. 调偏输出

TC_AWG_BIAS_?
测试目的 测试芯片调偏输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_bias_?.txt
4. 配置2：tc_awg_bias_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_bias_?_read.txt与参考值tr_awg_bias_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_BIAS_? 中的 ? 为通配符，? 指代 偏置：0~+1。

3.1.6.10. 反馈输出

TC_AWG_FB_?
测试目的 测试芯片反馈输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_fb_?.txt
4. 配置2：tc_awg_fb_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_fb_?_read.txt与参考值tr_awg_fb_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_FB_? 中的 ? 为通配符，? 指代 反馈控制指令：0、1、2、3。

3.1.6.11. 组合调制输出

TC_AWG_COMB_?
测试目的 测试芯片组合调制输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_comb_?.txt
4. 配置2：tc_awg_comb_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_awg_comb_?_read.txt与参考值tr_awg_comb_?_read.txt相同

【注】TC_AWG_COMB_? 中的 ? 为通配符，? 指代 0~10。

3.1.7. 异常上报功能

按照功能将芯片异常上报测试项划分为异常管理和上报两部分内容。

异常上报测试项
图 3-7 异常上报测试项

3.1.7.1. 异常管理

TC_IRQ_CTRL_?
测试目的 测试芯片异常管理功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_irq_ctrl_?.txt
4. 配置2：tc_irq_ctrl_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_irq_ctrl_?_read.txt与参考值tr_irq_ctrl_?_read.txt相同

【注】TC_IRQ_CTRL_? 中的 ? 为通配符，
? 指代 管理功能项：中断状态查询、中断状态屏蔽。

3.1.7.2. 异常上报

TC_IRQ_ALARM_?
测试目的 测试芯片异常上报功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_irq_alarm_?.txt
4. 配置2：tc_irq_alarm_?_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
合格判据 1. 回读数据td_irq_alarm_?_read.txt与参考值tr_irq_alarm_?_read.txt相同

【注】TC_IRQ_ALARM_? 中的 ? 为通配符，? 指代 中断类型：MCU、AWG、Debug。

3.2. 模拟功能测试

依据功能将模拟功能测试项划分为DAC波形输出和温度读出两项。

模拟功能测试需依赖外部仪器，其通过比较仪器测试结果是否满足指标要求来判定是否通过。

3.2.1. DAC波形输出

TC_DAC_OUTPUT_?
测试目的 测试芯片DAC波形输出功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Waveform
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1： tc_dac_output_?.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
合格判据 1. 从示波器回读数据，频率应该为 ?，输出功率为0±1dBm

【注】TC_DAC_OUTPUT_? 中的 ? 为通配符，
? 指代 输出频率：[100MHz、500MHz、1000MHz、
1500MHz、2600MHz、3000MHz、3500MHz、4000MHz、
4500MHz、5000MHz、5600MHz]。

3.2.3. 温度回读功能

TC_TEMP_READOUT
测试目的 测试芯片温度传感器功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_temp_readout.txt
4. 配置2：tc_temp_readout_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2回读指定存储区数据
判定依据 1. 回读数据td_temp_readout.txt与参考值tr_temp_readout.txt相同

3.3. 系统性能测试

系统性能测试
图 3-8 系统性能测试

3.3.1. SPI配置速率

3.3.1.1. SPI连续读写性能

TC_SPI_BURST
测试目的 测试芯片SPI接口连续读写功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_spi_burst.txt
4. 配置2：tc_spi_burst_read.txt
5. 配置3：tc_spi_speed_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据
2. 通过配置2回读指定存储区数据
3. 通过配置3回读指定存储区数据
判定依据 1. 回读数据td_spi_burst.txt与参考值tr_spi_burst.txt相同
2. 回读数据显示SPI接口数据速率≥50Mbps

3.3.1.2. SPI单次读写性能

TC_SPI_SINGLE
测试目的 测试芯片SPI接口单次读写功能是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_spi_single.txt
4. 配置2：tc_spi_single_read.txt
5. 配置3：tc_spi_speed_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据
2. 通过配置2回读指定存储区数据
3. 通过配置3回读指定存储区数据
判定依据 1. 回读数据td_spi_single.txt与参考值tr_spi_single.txt相同
2. 回读数据显示SPI接口数据速率≥50Mbps

3.3.3. 功耗测试

TC_POWER_?
测试目的 测试芯片在不同工况下的功耗是否符合设计要求
测试方法 Function_Waveform
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_power_?.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
判定依据 1. 回读万用表数据，并计算功耗，所有工况下功耗≤700mW，最大功耗-最小功耗≤300mW

【注】TC_POWER_? 中的 ? 为通配符，
? 指代 工作占空比：[0%、10%、20%、
30%、40%、50%、60%、70%、
80%、90%、100%]。

3.3.4. 输出延迟测试

TC_OUTPUT_DELAY
测试目的 测试芯片输出延迟是否符合设计要求
测试方法 Function_Waveform
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. dac_out端口:连接到示波器CH1，sync_out端口:连接到示波器CH2
4. 配置1：tc_output_delay.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
判定依据 1. 回读示波器数据，并记录sync_out和dac_out间的延迟时间≤100ns

3.4. 数字性能测试

按照功能模块将数字性能划分为NCO、AWG性能两部分。

数字性能测试项
图 3-9 数字性能测试项

3.4.1. NCO性能测试

3.4.1.1. NCO频率调节步进

TC_NCO_FREQ_STEP
测试目的 测试芯片NCO频率调节步进是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_nco_freq_step.txt
3. 配置2：tc_nco_freq_step_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_nco_freq_step.txt与参考值tr_nco_freq_step.txt相同
2. 且包含1000MHz、1000.05MHz、1000.1MHz三段波形

3.4.1.2. NCO相位调节步进

TC_NCO_PHA_STEP
测试目的 测试芯片NCO相位调节步进是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_nco_pha_step.txt
3. 配置2：tc_nco_pha_step_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_nco_pha_step.txt与参考值tr_nco_pha_step.txt相同
2. 且包含频率为1000MHz，初始相位分别为0°、1°、2°三段波形

3.4.1.3. NCO频率调节范围

TC_NCO_FREQ_RANG
测试目的 测试芯片NCO频率调节范围是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_nco_freq_rang.txt
3. 配置2：tc_nco_freq_rang_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_nco_freq_rang.txt与参考值tr_nco_freq_rang.txt相同
2. 且包含100MHz、30005MHz、5600MHz三段波形

3.4.1.4. NCO相位调节范围

TC_NCO_PHA_RANG
测试目的 测试芯片NCO相位调节范围是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_nco_pha_rang.txt
3. 配置2：tc_nco_pha_rang_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_nco_pha_rang.txt与参考值tr_nco_pha_rang.txt相同
2. 且包含频率为1000MHz，初始相位分别为0°、90°、180°、270°、359°五段波形

3.4.1.3. NCO频率调节速度

TC_NCO_FREQ_SPEED
测试目的 测试芯片NCO频率调节速度是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_nco_freq_speed.txt
3. 配置2：tc_nco_freq_speed_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_nco_freq_speed.txt与参考值tr_nco_freq_speed.txt相同
2. 且包含100MHz、30005MHz、5600MHz三段波形，频率切换时间为1个时钟周期（750MHz）

3.4.1.4. NCO相位调节速度

TC_NCO_PHA_SPEED
测试目的 测试芯片 NCO相位调节速度是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_nco_pha_speed.txt
3. 配置2：tc_nco_pha_speed_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_nco_pha_speed.txt与参考值tr_nco_pha_speed.txt相同
2. 且包含相位为1000MHz，初始相位分别为0°、90°、180°、270°、359°五段波形，相位切换时间为1个时钟周期（750MHz）

3.4.2. AWG性能测试

3.4.2.1. 输出单个波形最小长度

TC_AWG_SINGLE_WAVE_MIN
测试目的 测试芯片输出单个波形最小长度是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_single_wave_min.txt
3. 配置2：tc_awg_single_wave_min_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据tc_awg_single_wave_min.txt与参考值tr_awg_single_wave_min.txt相同
2. 且波形长度为16个采样点，采样率为12Gsa/s

3.4.2.2. 输出单个波形最大长度

TC_AWG_SINGLE_WAVE_MAX
测试目的 测试芯片输出单个波形最大长度是否符合设计要求
测试方法 Function_Waveform
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. dac_out端口:连接到示波器CH1
4. 配置1：tc_awg_single_wave_max.txt
判定依据 1. 当回读波形为Cosine波形时长度≥5.4us
2. 当回读波形为Flattop和Rectangle波形时长度≥1ms

3.4.2.3. 输出背靠背波形

TC_AWG_BACK_WAVE
测试目的 测试芯片输出背靠背波形能力是否符合设计要求
测试方法 Function_Waveform
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. dac_out端口:连接到示波器CH1
4. 配置1：tc_awg_back_wave.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过脚本从示波器读出波形数据
判定依据 1. 回读波形，两个波形紧紧相连

3.4.2.4. AWG幅度调节步进

TC_AWG_AMP_STEP
测试目的 测试芯片AWG幅度调节步进是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_amp_step.txt
3. 配置2：tc_awg_amp_step_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_awg_amp_step.txt与参考值tr_awg_amp_step.txt相同
2. 且包含幅度为0、0.001、0.002三段波形

3.4.1.2. AWG偏置调节步进

TC_NCO_BIAS_STEP
测试目的 测试芯片AWG偏置调节步进是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_amp_bias.txt
3. 配置2：tc_awg_amp_bias_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_awg_amp_bias.txt与参考值tr_awg_amp_bias.txt相同
2. 且包含偏置为0、0.001、0.002三段波形

3.4.1.3. AWG幅度调节范围

TC_AWG_AMP_RANG
测试目的 测试芯片AWG幅度调节范围是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_amp_rang.txt
3. 配置2：tc_awg_amp_rang_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_awg_amp_rang.txt与参考值tr_awg_amp_rang.txt相同
2. 且包含幅度为0、0.1、0.5、0.7、1.0五段波形

3.4.1.4. AWG偏置调节范围

TC_AWG_BIAS_RANG
测试目的 测试芯片AWG偏置调节范围是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_bias_rang.txt
3. 配置2：tc_awg_bias_rang_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_awg_bias_rang.txt与参考值tr_awg_bias_rang.txt相同
2. 且包含偏置度为0、0.1、0.5、0.7、1.0五段波形

3.4.1.3. AWG幅度调节速度

TC_AWG_AMP_SPEED
测试目的 测试芯片AWG幅度调节速度是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_amp_speed.txt
3. 配置2：tc_awg_amp_speed_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_awg_amp_speed.txt与参考值tr_awg_amp_speed.txt相同
2. 且包含幅度为0、0.1、0.5、0.7、1.0五段波形，相位切换时间为1个时钟周期（750MHz）

3.4.1.4. AWG偏置调节速度

TC_AWG_BIAS_SPEED
测试目的 测试芯片AWG偏置调节速度是否符合设计要求
测试方法 Function_Data
测试条件 1. pow_in端口: 电压2.5v，限流2A
2. clk_in端口：频率6 GHz，功率5 dBm
3. 配置1：tc_awg_bias_speed.txt
3. 配置2：tc_awg_bias_speed_read.txt
测试方法 1. 通过配置1向芯片写入数据，然后启动同步触发命令
2. 通过配置2向芯片写入数据，从芯片调试存储器读出波形数据
判定依据 1. 回读数据td_awg_bias_speed.txt与参考值tr_awg_bias_speed.txt相同
2. 且包含偏置度为0、0.1、0.5、0.7、1.0五段波形，相位切换时间为1个时钟周期（750MHz）

3.5. 模拟性能测试

3.5.1. DAC性能相关

3.5.1.1. 频率范围测试

3.5.1.2. 瞬时带宽测试

3.5.1.3. 输出功率测试

3.5.1.4. 非线性测试

测试目的 测试读出芯片DAC输出DNL指标
测试方法 1. 按照XX测试方法测试DAC输出电压
2. 测试DAC输出0-255码值时电压
3.测试DAC输出256:256:65280时电压
4.合并数据得到0:65535的电压值并计算DNL和INL
判定依据 1. DNL ≤ 2.4
2. INL ≤ 10

3.5.2.5. 功率稳定性测试

3.5.2.6. 单音音SFDR测试

3.5.2.7. 噪声谱密度测试

3.5.2.8. 相位噪声测试

3.6. 可靠性测试

可靠性测试仅针对芯片批次测试。

3.6.1. 供电电压范围

3.6.1.2. DAC模拟供电

3.6.2. 供电纹波抑制

3.6.2.1. 内核供电

3.6.2.3. DAC模拟供电

3.6.3. 温漂测试

3.6.3.1. DAC输出功率温漂

3.6.4. 老化测试

暂不测试

3.6.5. 震动测试

暂不测试

3.6.6. ESD测试

暂不测试

4. 测试报表

一级分类 二级分类 测试项 测试ID 测试结果 测试结论
数字功能 复位与配置 时钟寄存器配置功能 TC_CFG_CLK - -
硬件复位功能 TC_HW_RST - -
系统软件复位功能 TC_SYS_SF_RST - -
通道软件复位功能 TC_CH0_SF_RST - -
寄存器配置功能 TC_CFG_REG - -
调试存储配置功能 TC_CFG_RAM_DBG - -
随机数存储配置功能 TC_CFG_RAM_PRNG - -
MCU指令存储配置功能 TC_CFG_RAM_ICCM - -
MCU数据存储配置功能 TC_CFG_RAM_DCCM - -
包络存储配置功能 TC_CFG_RAM_ENVE - -
包络索引存储配置功能 TC_CFG_RAM_ENVEID - -
同步 同步启动 TC_SYNC_START - -
同步输出 TC_SYNC_OUTPUT - -
同步调节 TC_SYNC_ADJ - -
同步抽头为0同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_0 - -
同步抽头为1同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_1 - -
同步抽头为2同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_2 - -
同步抽头为3同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_3 - -
同步抽头为4同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_4 - -
同步抽头为5同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_5 - -
同步抽头为6同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_6 - -
同步抽头为7同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_7 - -
同步抽头为8同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_8 - -
同步抽头为9同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_9 - -
同步抽头为10同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_10 - -
同步抽头为11同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_11 - -
同步抽头为12同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_12 - -
同步抽头为13同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_13 - -
同步抽头为14同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_14 - -
同步抽头为15同步采样 TC_SYNC_SAMPLE_15 - -
MCU 基本指令测试 TC_MCU_ISR_ADD - -
TC_MCU_ISR_SUB - -
TC_MCU_ISR_SLL - -
TC_MCU_ISR_SLT - -
TC_MCU_ISR_SLTU - -
TC_MCU_ISR_XOR - -
TC_MCU_ISR_SRL - -
TC_MCU_ISR_SRA - -
TC_MCU_ISR_OR - -
TC_MCU_ISR_AND - -
TC_MCU_ISR_ADDI - -
TC_MCU_ISR_SLTI - -
TC_MCU_ISR_SLTIU - -
TC_MCU_ISR_XORI - -
TC_MCU_ISR_ORI - -
TC_MCU_ISR_ANDI - -
TC_MCU_ISR_SLLI - -
TC_MCU_ISR_SRLI - -
TC_MCU_ISR_SRAI - -
TC_MCU_ISR_LB - -
TC_MCU_ISR_LH - -
TC_MCU_ISR_LW - -
TC_MCU_ISR_LBU - -
TC_MCU_ISR_LHU - -
TC_MCU_ISR_SRAI - -
MCU通用寄存器组 TC_MCU_GR_0 - -
TC_MCU_GR_1 - -
TC_MCU_GR_2 - -
TC_MCU_GR_3 - -
TC_MCU_GR_4 - -
TC_MCU_GR_5 - -
TC_MCU_GR_6 - -
TC_MCU_GR_7 - -
TC_MCU_GR_8 - -
TC_MCU_GR_9 - -
TC_MCU_GR_10 - -
TC_MCU_GR_11 - -
TC_MCU_GR_12 - -
TC_MCU_GR_13 - -
TC_MCU_GR_14 - -
TC_MCU_GR_15 - -
TC_MCU_GR_16 - -
TC_MCU_GR_17 - -
TC_MCU_GR_18 - -
TC_MCU_GR_19 - -
TC_MCU_GR_20 - -
TC_MCU_GR_21 - -
TC_MCU_GR_22 - -
TC_MCU_GR_23 - -
TC_MCU_GR_24 - -
TC_MCU_GR_25 - -
TC_MCU_GR_26 - -
TC_MCU_GR_27 - -
TC_MCU_GR_28 - -
TC_MCU_GR_29 - -
TC_MCU_GR_30 - -
TC_MCU_GR_31 - -
MCU数据存储区 TC_MCU_DCCM - -
TC_MCU_REG - -
TC_MCU_PRNG - -
MCU异常 TC_MCU_EX_INSTR_ALL0 - -
TC_MCU_EX_INSTR_ALL1 - -
TC_MCU_EX_INSTR_SLLI - -
TC_MCU_EX_INSTR_SRLI - -
TC_MCU_EX_INSTR_SRAI - -
TC_MCU_EX_INSTR_0xF000_0000 - -
TC_MCU_EX_INSTR_SH_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_SW01_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_SW02_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_SW03_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_LH_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_LW01_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_LW02_UA - -
TC_MCU_EX_INSTR_LW03_UA - -
MCU综合测试 TC_MCU_COMP_0 - -
TC_MCU_COMP_1 - -
TC_MCU_COMP_2 - -
TC_MCU_COMP_3 - -
TC_MCU_COMP_4 - -
TC_MCU_COMP_5 - -
TC_MCU_COMP_6 - -
TC_MCU_COMP_7 - -
TC_MCU_COMP_8 - -
TC_MCU_COMP_9 - -
TC_MCU_COMP_10 - -
乘法器 16x16乘法器 TC_MUL_16x16_0 - -
TC_MUL_16x16_1 - -
TC_MUL_16x16_2 - -
TC_MUL_16x16_3 - -
TC_MUL_16x16_4 - -
TC_MUL_16x16_5 - -
TC_MUL_16x16_6 - -
TC_MUL_16x16_7 - -
TC_MUL_16x16_8 - -
TC_MUL_16x16_9 - -
TC_MUL_16x16_10 - -
12x20乘法器 TC_MUL_12x20_0 - -
TC_MUL_12x20_1 - -
TC_MUL_12x20_2 - -
TC_MUL_12x20_3 - -
TC_MUL_12x20_4 - -
TC_MUL_12x20_5 - -
TC_MUL_12x20_6 - -
TC_MUL_12x20_7 - -
TC_MUL_12x20_8 - -
TC_MUL_12x20_9 - -
TC_MUL_12x20_10 - -
拖尾矫正 拖尾矫正 TC_TCORR_0 - -
TC_TCORR_1 - -
TC_TCORR_2 - -
TC_TCORR_3 - -
TC_TCORR_4 - -
TC_TCORR_5 - -
TC_TCORR_6 - -
TC_TCORR_7 - -
TC_TCORR_8 - -
TC_TCORR_9 - -
TC_TCORR_10 - -
AWG 基频NCO载波扫频 TC_FFNCO_FREQ_SCAN_1M - -
TC_FFNCO_FREQ_SCAN_100M - -
TC_FFNCO_FREQ_SCAN_500M - -
TC_FFNCO_FREQ_SCAN_1000M - -
TC_FFNCO_FREQ_SCAN_1500M - -
基频NCO载波扫相 TC_FFNCO_PHA_SCAN_0DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_1DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_10DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_45DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_90DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_135DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_180DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_225DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_270DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_315DEG - -
TC_FFNCO_PHA_SCAN_360DEG - -
倍频NCO载波扫频 TC_FMNCO_FREQ_SCAN_1M - -
TC_FMNCO_FREQ_SCAN_100M - -
TC_FMNCO_FREQ_SCAN_500M - -
TC_FMNCO_FREQ_SCAN_1000M - -
TC_FMNCO_FREQ_SCAN_1500M - -
倍频NCO载波扫相 TC_FMNCO_PHA_SCAN_0DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_1DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_10DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_45DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_90DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_135DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_180DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_225DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_270DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_315DEG - -
TC_FMNCO_PHA_SCAN_360DEG - -
NCO载波相位清零 TC_FMNCO_PHA_CLR - -
AWG包络直出 TC_AWG_ENVE_COSINE_10 - -
TC_AWG_ENVE_COSINE_100 - -
TC_AWG_ENVE_COSINE_1000 - -
TC_AWG_ENVE_FLATTOP_10 - -
TC_AWG_ENVE_FLATTOP_100 - -
TC_AWG_ENVE_FLATTOP_1000 - -
TC_AWG_ENVE_RECTANGLE_10 - -
TC_AWG_ENVE_RECTANGLE_100 - -
TC_AWG_ENVE_RECTANGLE_1000 - -
AWG调幅输出 TC_AWG_AMP - -
AWG调频输出 TC_AWG_FREQ - -
AWG调相输出 TC_AWG_PHA - -
AWG调偏输出 TC_AWG_BIAS - -
反馈输出 TC_AWG_FB_00 - -
TC_AWG_FB_01 - -
TC_AWG_FB_10 - -
TC_AWG_FB_11 - -
组合调制输出 TC_AWG_COMB_0 - -
TC_AWG_COMB_1 - -
TC_AWG_COMB_2 - -
TC_AWG_COMB_3 - -
TC_AWG_COMB_4 - -
TC_AWG_COMB_5 - -
TC_AWG_COMB_6 - -
TC_AWG_COMB_7 - -
TC_AWG_COMB_8 - -
TC_AWG_COMB_9 - -
TC_AWG_COMB_10 - -
异常上报 TC_IRQ_CTRL_POLL - -
TC_IRQ_CTRL_MASK - -
TC_IRQ_ALARM_MCU - -
TC_IRQ_ALARM_AWG - -
TC_IRQ_ALARM_DEBUG - -
模拟功能测试 DAC波形输出 DAC波形输出 TC_DAC_OUTPUT_100M - -
TC_DAC_OUTPUT_500M - -
TC_DAC_OUTPUT_1000M - -
TC_DAC_OUTPUT_1500M - -
温度回读功能 温度回读功能 TC_TEMP_READOUT - -
系统性能测试 SPI配置速率 SPI连续读写性能 TC_SPI_BURST - -
SPI单次读写性能 TC_SPI_SINGLE - -
功耗测试 功耗测试 TC_POWER_0%~100% - -
输出延迟测试 输出延迟测试 TC_OUTPUT_DELAY - -
数字性能测试 NCO性能测试 NCO频率调节步进 TC_NCO_FREQ_STEP - -
NCO相位调节步进 TC_NCO_PHA_STEP - -
NCO频率调节范围 TC_NCO_FREQ_RANG - -
NCO相位调节范围 TC_NCO_PHA_RANG - -
NCO频率调节速度 TC_NCO_FREQ_SPEED - -
NCO相位调节速度 TC_NCO_PHA_SPEED - -
AWG性能测试 输出单个波形最小长度 TC_AWG_SINGLE_WAVE_MIN - -
输出单个波形最大长度 TC_AWG_SINGLE_WAVE_MAX - -
输出背靠背波形 TC_AWG_BACK_WAVE - -
AWG幅度调节步进 TC_AWG_AMP_STEP - -
AWG偏置调节步进 TC_NCO_BIAS_STEP - -
AWG幅度调节范围 TC_AWG_AMP_RANG - -
AWG偏置调节范围 TC_AWG_BIAS_RANG - -
AWG幅度调节速度 TC_AWG_AMP_SPEED - -
AWG偏置调节速度 TC_AWG_BIAS_SPEED - -
模拟性能测试 DAC性能测试 TC_DAC_FREQ - -
TC_DAC_BW - -
TC_DAC_POW - -
TC_DAC_DNL - -
TC_DAC_STB - -
TC_DAC_SFDR - -
TC_DAC_NSD - -
TC_DAC_PN - -
可靠性测试 电压范围 TC_CORE_RANG - -
TC_DAC_RANG - -
纹波抑制 TC_CORE_PRSS - -
TC_DAC_PRSS - -
温漂性能 TC_DAC_DRIFT - -
TC_ADC_DRIFT - -
TC_PLL_DRIFT - -
老化测试 TC_ZPU_OLD - -
ESD测试 TC_ZPU_ESD - -
震动测试 TC_ZPU_VIB - -

  1. XY芯片测试大纲

1.1. 核心思想

  1. 测试介绍

2.1. 被测件介绍

2.2. 配测仪器

2.3. 测试方法

  1. 测试用例

3.1. 数字功能测试

3.1.1. 复位与配置

3.1.3. MCU测试项

3.1.4. 乘法器

3.1.5. 拖尾矫正

3.1.6. AWG

3.1.7. 异常上报功能

3.2. 模拟功能测试

3.3. 系统性能测试

3.4. 数字性能测试

3.5. 模拟性能测试

3.6. 可靠性测试
  1. 测试报表
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